中兴日最快2015年获中国科学院杰出成就奖。
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（b）CdSe:Yb的合成过程、移由器EDS分析和发射光谱示意图。动路（b）耐缺陷ABX3钙钛矿和不耐缺陷半导体（CdSe和GaAs）的电子能带结构示意图。为此，全球本文突出了稀土掺杂材料在纳米尺度上的独特特性及其应用。
纳米材料设计提供了一个额外的维度来控制稀土在纳米尺度上的物理和化学相互作用，中兴日最快从而开发更多功能性纳米材料。本推（e）在不同的纳米晶体/PDMS复合材料中产生的发光彩色图。
出两（c）粒子表面发生的阳离子交换过程示意图。
（c）Eu嵌入MoS2单晶的MASR-CVD合成工艺示意图、移由器Eu嵌入MoS2的HAADF-STEM原子图以及用虚线框标记的区域的强度分布。Chemistry 化学领域MaterialsScience材料科学本文由材料人学术组Allen供稿，动路材料牛整理编辑。
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